截至2025年4月，台积电在全球共有26座晶圆厂，覆盖中国台湾、中国大陆、美国、日本、新加坡及德国等地。

12英寸厂：共20座，占主导地位，覆盖先进制程（2nm-28nm），主要分布于中国台湾、美国、日本和中国大陆。

8英寸厂：5座，聚焦成熟制程（0.11-0.35微米），用于汽车、消费电子等领域。

6英寸厂：1座，生产早期成熟工艺产品。

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12英寸晶圆厂（300mm）

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新竹科学园区：

Fab 12A/B（7nm/5nm）

制程：覆盖20nm至7nm工艺，服务于智能手机、高性能计算等领域。
特点：早期生产苹果A9处理器，逐步升级至7nm。
此外，新竹研发中心是2纳米及以下技术的重要研发基地。

台中科学园区：

Fab 15 （16nm/20nm）

技术节点：16nm/20nm。产能：月产能约16.6万片（12英寸晶圆）。

台南科学园区：

Fab 18 （3nm/5nm）P1-P8

Fab 25（1.4nm，规划中）

制程：P1-P3量产4nm，P4-P6生产3nm，规划P7-P8扩产3nm。
产能：当前月产能约12万片晶圆。
南科是台积电营收主要来源，3纳米产能2024年激增3倍，支撑AI芯片需求。

高雄：

Fab 22（2nm，2025年量产）

制程：2nm生产基地，预计2025年量产，月产能3万片。

规划：原规划两座厂，因客户需求强劲，正评估第三座厂（P3）建设，总投资或超2兆新台币。

新竹宝山：

Fab 20（2nm，2025年试产）

制程：专注于2nm及以下技术，2025年试产阶段已完成5,000片风险生产，良率超60%，计划2026年底月产能达12万片。
特点：洁净室面积全球最大，总投资超200亿美元，是台积电2nm技术的核心基地。

南京：

Fab 16（16nm/12nm/28nm）

技术节点：16nm/12nm（已量产），28nm（2024年新增产能）。

产能：2024年总产能达97.8万片/年（12英寸晶圆），服务中国本地市场。

亚利桑那州凤凰城：

Fab 21（4nm/3nm/2nm，规划6座厂）

制程：4nm（N4/N4P）量产中，2025年规划3nm，2030年推进2nm。

产能： 第一晶圆厂（P1 1A）计划2025年一季度末量产4纳米，初期月产能1万片；第二厂（P1 A2）2025年中投片，最终规划三座厂，总投资650亿美元，获美国政府66亿美元补贴。

客户：生产AMD Ryzen 9000及苹果S9处理器。

熊本：

JASM Fab 1（22/28nm，2024年投产）

制程：Fab 1生产22/28nm及少量12/16nmFab2 2 2025年开建，2027年投产；日本政府补贴高达4760亿日元（第一厂）和7300亿日元（第二厂）。第三厂（大阪）仍在争取中。

定位：聚焦车用芯片，结合日本材料及设备优势。

德国德累斯顿：

规划中（28nm及以上车用芯片）

制程：特殊制程（汽车及工业应用），与博世、英飞凌等合资。

进展：2024年第四季度动工。

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8英寸晶圆厂（200mm）

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新竹/台南：

Fab 3、Fab 5、Fab 6、Fab 8（成熟制程）

Fab 3

制程：成熟工艺（0.15μm及以上），生产模拟芯片、电源管理IC等，服务于汽车和工业领域。

Fab 5

制程：0.25-0.15μm成熟工艺，聚焦消费电子和物联网芯片。

Fab 8

制程：0.18μm及以上成熟工艺，支持射频（RF）和混合信号芯片。

上海：

Fab 10（0.35-0.11微米）

技术节点：0.35微米至0.11微米成熟制程（8英寸晶圆）。

产能：月产能约5万片，主要生产模拟芯片、电源管理IC、传感器等。

新加坡 ：

SSMC厂（模拟芯片/传感器）

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6英寸晶圆厂（150mm）

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新竹：

Fab 2（传感器/低复杂度芯片）

制程：0.45μm及以上早期成熟工艺，主要用于传感器和低复杂度芯片生产