Nidek IM-7 150mm Wafer 表面检测技术规格

简介

Nidek IM-7 专门设计用于检测150mm（约6英寸）硅片表面的细微短缺。其可靠且高度精确的检测能力使其成为制造和研发过程中不可或缺的工具。Nidek IM-7的表面检测技术规范和工作原理如下。

技术规格

· 检测类型： 氧化膜缺陷检测、位相差检测

· 检测项目：硅片表面的瑕疵、微粒、金属杂质沉淀、生长结节、裂痕等。

· 检测范围：适用于Si（一般硅晶圆）及其他材料的晶圆表面至边缘约1mm为检测范围。

· 直径：专门用于150mm（约6英寸）的晶片

· 测量速度：在高灵敏度的情况下，每小时可检测约100片晶圆，速度可调节。

· 光谱范围：使用可见光（约300~800纳米）和近红外线共同检测，可根据不同检测模式调整光源。

· 分辨率：标称最小检测直径约0.15微米，具备极高的分辨率和灵敏度。

· 重复精度：优于0.1微米，保证了高分辨率的重复准确性。

· 环境依赖：可在标准实验室环境下操作，并对振动有所耐受，适当空气效应补偿。

工作原理

Nidek IM-7利用聚焦空气轴承技术在硅片表面进行高速、低压力扫描。其一体成型结构确保了设备的高度稳定性和精密定位。当硅片位于检测室时，强光源（如卤素灯或激光）通过一系列镜头照射表面，引导光线沿晶片表面反射并进入检测设备中的CCD（充电耦合元件）摄像装置。通过对反射光线模式变化的分析，发现晶片表面缺陷的位置、大小及类型。由于采用了位相移差法等多种先进的检测技术，Nidek IM-7能够找出细微的表面不规则和局部异物，有效避免了漏检或误检的问题。

依据

Nidek IM-7的设计和性能参数基于多年来半导体行业对面型和表征测量的严格要求而发展出来。采用的多项核心技术，如利用先进的光源与光电器件，基于高精度机械结构的扫描与对位系统，均源于Nidek公司在半导体制造装备上的经验和专长。
- 其检测结果的准确性、可靠性以及效率均符合工业界对半导体晶圆检测设备的标准和要求。
- 此外，Nidek IM-7可适用各类标准晶圆表面条件，亦可通过特定设定支持用户自定义模式以适应不同的检测需求。

Nidek IM-7旨在提供高精度、高效能的150mm晶圆表面检测方案，满足从研究到生产的多种应用场景需求。