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半导体极低杂质电子气体解决方案:技术路径与国产化突破
Global PNG2025-04-17 10:03:57
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本文解析半导体制造中极低杂质电子气体的核心挑战,梳理多级纯化、催化吸附等关键技术路径,并探讨国产化突破方向与市场应用前景。

一、极低杂质气体的核心挑战


半导体工艺对电子气体提出严苛要求:


金属杂质:需控制在0.1ppt以下(如Fe、Cu、Na);


非金属杂质:水分<1ppm,氧气<0.1ppm(针对惰性气体);


颗粒物:≥0.1μm粒子<10个/L(需HEPA+ULPA双重过滤)。


二、主流技术解决方案


1. 多级深度纯化


预纯化:分子筛吸附(去除H₂O、CO₂);


精纯化:低温精馏(-196℃)+催化氧化(如去除CO);


终端过滤:PTFE膜+活性炭复合滤芯(拦截0.01μm颗粒物)。


2. 催化吸附技术


贵金属催化剂:Pt/Pd负载型催化剂(将有机物分解为CO₂+H₂O);


再生工艺:氢气还原(恢复催化剂活性,延长使用寿命)。


3. 智能化监控系统


在线检测仪:基于ICP-MS+FTIR实时分析杂质成分;


AI预测模型:通过LSTM神经网络预判设备故障。


三、杂质检测与标准


核心检测指标:


金属杂质:ICP-MS(检测限0.01ppt);


水分:电解法(精度±0.5ppm);


氧气:激光吸收光谱(精度0.1ppm)。


国际标准:


SEMI C1.2(北美标准)、SEMI E49.1(欧洲标准);


国内《电子工业用气体》(GB/T 16942)已更新至2024版。


四、国产化突破方向


设备自主化


开发国产深冷泵(替代进口莱宝泵);


研制8N级硅烷纯化器(解决“卡脖子”问题)。


工艺优化


探索膜分离+催化吸附耦合工艺;


建立杂质指纹数据库(覆盖50+种杂质)。


成本控制


通过设备模块化降低30%投资成本;


采用国产催化剂(成本降低50%)。


五、市场应用前景


12英寸产线:国产电子气体已导入中芯国际、华虹等产线;


新兴领域:第三代半导体(SiC、GaN)对超高纯度氨气需求增长30%/年;


政策支持:工信部《电子气体产业三年行动计划》推动国产化率2025年达50%。


结语:极低杂质电子气体是半导体制造的“隐形基石”。建议企业聚焦核心设备自研与工艺闭环优化,例如开发智能纯化系统。随着国产化技术突破,预计未来五年国内电子气体市场规模将突破300亿元,助力半导体产业链安全可控。


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